Apple blog

Intel i Micron ogłosiły, że są w stanie wyprodukować flash RAM typu NAND, która jest w stanie czytać z prędkością 200 Megabajtów na sekundę i zapisywać dane z szybkością 100 Megabajtów na sekundę. To duży skok jakościowy, zważywszy, iż tradycyjne, używane w tej chwili karty flash pracują odpowiednio z prędkością 40 i 20 Megabajtów na […]

Źródło vittra

This entry was posted on poniedziałek, luty 4th, 2008 at 17:47 and is filed under Aktualności. You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0 feed. Both comments and pings are currently closed.